반도체 전자 루프가 태어나지 않고 전통적인 전도도보다 10 배 더 높습니다.

출시일:2021-06-28
캘리포니아 대학 샌디에고에서

NNGINERS 세계' S 첫 번째 반도체-Free, Light-Voltage, 낮은-Power 레이저에 의해서만 흥분된 Light-Controlled 마이크로 전자 장치를 개발하는 Metamaterials를 사용했습니다. 전도성은 종래의 것보다 10 배 높습니다. 이 기술은 더 빠르고 더 높은 전력 마이크로 전자 장치의 제조에 도움이되며보다 효율적인 태양 전지 패널을 생산할 것으로 예상됩니다. 트랜지스터와 같은 기존의 기존 마이크로 전자 장치의 성능은 궁극적으로 성능에 의해 제한됩니다.

그들의 구성 재료. 예를 들어, 반도체 자체의 성질은 장치의 전도도 또는 전자 흐름을 제한합니다. 반도체는 SO-CALLED 밴드 갭이 있기 때문에 전자가 밴드 갭을 통해 점프하기 위해 전자가 적용되어야하는 외부 에너지가 적용되어야합니다. 또한 전자 속도는 또한 반도체를 통과 할 때 항상 반도체 내부의 원자로 충돌합니다.

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의 전기 엔지니어링 교수가 UC에서 전기 공학 교수 샌디에고, 공간 무료 전자를 사용하여101을 대 장 묘사했다. 전통적인 전자 제품의 한계를 극복하기위한 반도체. Ebrahim forati, 연구의 첫 번째 저자, 말했다 :
AND, 우리는 마이크로 수준에 그것을 달성하기를 희망합니다.
-
, 자료에서 전자를 해제하는 과정은 어려운 일입니다. 이 프로세스는 고전압 (적어도 100 볼트 이상)과 높은 전력 UV 레이저의 적용을 필요로하거나 미크론 및 나노 스케일 전자 장치에서 비실용적 인 매우 높은 온도 (1000도 이상의 화씨)를 필요로합니다.
--scanning 전자 현미경 (SEM) 이미지 (왼쪽 상단) 및 Au 표면 표면 (오른쪽 상단, 낮은)

""-

""웨스트 파이퍼 팀이 디자인 한 사진-emissive micro-device 재료에서 전자를 해제 할 수 있고 해제 조건은 덜 까다 롭습니다.""""장치는 실리콘 기판, 실리콘 이산화 규소 장벽, 그리고 엔지니어링 된 표면으로 구성됩니다metaSurface라고합니다.
안경의 표면은 Au (골드) 어레이와 버섯
like Au 나노 구조 배열의 병렬 스트립으로 구성됩니다.""오우 메타 표면은 생산하도록 설계되었습니다. Nhot Spots
DC 로우를 적용 ​​할 때 높은
intensity 전기 필드 전압 (10 볼트 미만) 및 낮은Power 적외선 레이저 동시에. 이"hot 스포트"에너지는 금속의 전자를pull
에 충분합니다. 무료 전자를 해제합니다.
--device 테스트 결과는 그 전도성이 10 배 증가 함을 보여줍니다. Ibrahim은 다음을 의미합니다.-더 많은 무료 전자를 제어 할 수 있습니다.-

western piper 말했다 :of 코스, 이것은 모든 반도체 장치를 대체하지 않지만 일부 특정 응용 프로그램의 경우, 이것은 최고 일 수 있습니다. 고주파 또는 고전력 장치와 같은 솔루션.

\\n \\n \\n \\ Naccording 연구원, 현재 au 슈퍼 \\ Nsuperior 표면은 단지 증명 \\ Nof \\ Nconcept 디자인입니다. 다른 유형의 마이크로 전자 장치의 경우 다른 슈퍼 \\ NSurface 디자인 및 최적화가 필요합니다. 연구원은 다음 단계가 이러한 장치의 확장 성 및 성능의 한계를 이해하는 것입니다. \"\\n \\n \\n \\n 전자 응용 프로그램에 추가, 팀은 새로운 태양 광 장치 또는 환경 적 응용 분야를 달성하기 위해 광 화학, 광촉매 등과 같은 기술의 다른 응용 프로그램을 탐색하고 있습니다. \\n \\n

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