전자.캘 리 포 니 아 대학 샌 디 에이 고 분 교 는 엔지니어 들 이 초 재 료 를 사용 하여 세 계 를 발전 시킨다.'반도 체-자유롭다-저전압 의 격려 만 받 을 수 있 는 마이크로 전자기 기-전압-파워 레이저.전기 전도율 이 전통 보다 10 배 높다.이 기술 은 속도 가 빠 르 고 출력 이 높 은 마이크로 전자 부품 을 만 드 는 데 유리 하 며 보다 효율 적 인 태양 전지 판 을 만 들 전망 이다.

기 존의 전통 적 인 마이크로 전자 부품 (예 를 들 어 트랜지스터) 의 성능 은 최종 적 으로 그 구성 재료 의 성능 에 제한 을 받는다.예 를 들 어 반도체 자체 의 성질 은 부속품 의 전도성 이나 전 자 를 제한한다.반도체 가 하나 있 으 니까.-이른바 틈새 라 는 것 은 외부 에 너 지 를 가해 전 자 를 밴드 슬롯 으로 도약 시 켜 야 한 다 는 것 을 의미한다.이 밖 에 전자 속도 도 제한 을 받는다. 전자 가 반도체 를 통과 할 때 반도체 내부 의 원자 와 자주 부 딪 히 기 때문이다.

캘 리 포 니 아 대학 샌 디 에이 고 분 교 전기 공학 교수 단 · 서문 파 퍼 가 이 끄 는 응용 전자 학 팀 은 공간 자유 전 자 를 이용 하여 전 자 를 대체 하 는 한계 성 을 모색 했다e반도체 가 전통 전자학 의 한 계 를 극복 하 였 다.이 연구 의 제1 저자 인 이브 라 흔 플 라 티 는 이렇게 말 했다."우 리 는 미시적 인 측면 에서 이 목 표를 실현 하 기 를 희망 한다."

하지만 재료 에서 전 자 를 방출 하 는 과정 은 도전 적 이다.이 과정 은 고 전압 (최소 100 볼트) 과 고성능 자외선 레이저 기 를 사용 해 야 하거나 높 은 온도 (1000 화 씨 도 를 초과) 가 필요 하 다. 이것 은 미크론 과 나 노 급 전자 장치 에 있어 서 현실 에 맞지 않 는 다.

반도체 의 스캐닝 전자 현미경 (SEM) 이미지-자유 마이크로 전자기 기 (왼쪽 위) 및 그 금 표면 (오른쪽 위, 아래)

서 파 는 이 도전 에 대비 해 사진 한 장 을 디자인 했다.-마이크로 방출-전 자 를 재료 에서 방출 할 수 있 는 장 치 는 석방 조건 에 대한 요구 가 비교적 낮다.

이 기 구 는 실리콘 기 판, 실리 카 블록 킹 층 과 상부 의 공사 표면 으로 구성 된다."표면."안경 의 표면 은 하나의 평행 금 (금) 배열 과 하나의 버섯 으로 구성 된다.-김 나 노 구조 어 레이 같다.

금 원 의 표면 설 계 는 생산 에 쓰 인 다."핫 이 슈"높다.-직류 저전압 (10 볼트 이하) 과 저전압 을 가 할 때의 전장 강 도 를 가 하 다.-동시에 적외선 레이저 에 전 기 를 공급 하 다.이것들"핫 이 슈"에너지 가 충분 하 다."당기다."전 자 는 금속 에서 방출 되 어 자유 전 자 를 방출 한다.

부속품 테스트 결과, 전기 전도율 이 10 배 올 랐 다.이브 라 흔 은 이렇게 말 했다."이것 은 네가 더 많은 자유 전 자 를 제어 할 수 있다 는 것 을 의미한다."

서방 파 는 이렇게 말 했다."물론 이 는 모든 반도체 부품 을 대체 할 수 는 없 지만 특정한 응용 에 있어 서 이것 은 고주파 나 고성능 부품 과 같은 가장 좋 은 해결 방안 일 수 있다."

연구 진 에 따 르 면, 현재 의 황금 은 초 과 였 다 고 한다.-우월 한 표면 은 단지 하나의 증명 일 뿐이다.-속 하 다.-개념 설계.서로 다른 유형의 마이크로 전자 부품 에 대하 여, 다른 초-표면 설계 와 최적화 가 필요 하 다.연구 진 은 다음 단 계 는 이러한 설비 들 의 확장 성과 성능 의 한계점 을 파악 하 는 것 이 라 고 말 했다.

전자 응용 을 제외 하고 이 팀 은 광 화학, 광 촉매 등 기술 의 다른 응용 을 모색 하여 새로운 광 볼트 부품 이나 환경 응용 을 실현 하도록 한다.